什么是反应离子刻蚀

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/29 20:46:52

什么是反应离子刻蚀

这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用.辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行.硅片处于阴极电位,放电时的电位大部分降落在阴极附近.大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速,垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应,产生化学刻蚀作用.选择合适的气体组分,不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度,还可以使活性基团的寿命短,这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应,大大提高了刻蚀的各向异性特性.反应离子刻蚀是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法.

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