为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/29 07:09:41

为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.
少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.
多数载流子通常有10的15次方以上
少数载流子通常为10的5次方以下

为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上 填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征 半导体的少数载流子浓度有什么决定 温度一定时,半导体中的本征载流子浓度是一定的吗? 掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系本征半导体掺杂后变成掺杂半导体后n0p0=ni2还成立吗?如果变成n型,p0会变少变成少数载流子,那成对出现的本征载流子ni为什么不等于p0? 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 半导体中的多数载流子是由()产生的;少数载流子是由()产生的. 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么? 为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高. 1. 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 . 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么? 为什么说半导体中载流子的浓度不变呢?