掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/03/30 00:00:36

掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系

温度.导体在任何温度下,都将遵从
热平衡条件:np=ni2.因此多数载流子与少
数载流子是相互制约着的.多数载流子主要
来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激
发(属于本征载流子).当通过掺杂、增大
多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载
流子相互复合的机会增加,将使得少数载流
子浓度减小;当升高温度,少数载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复
合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.
在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度
将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因
此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基
本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.
当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大
到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以
本征载流子导电为主的半导体了,即为本征
半导体,这时掺杂的贡献即可忽略了.

掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 半导体的少数载流子浓度有什么决定 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征 掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系本征半导体掺杂后变成掺杂半导体后n0p0=ni2还成立吗?如果变成n型,p0会变少变成少数载流子,那成对出现的本征载流子ni为什么不等于p0? 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、 半导体中载流子浓度由什么决定? N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么? 为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高. 半导体中载流子数量与电导率的关系我想确认一下二者有关系吗?我的理解是,无论是掺杂半导体还是本征半导体,载流子数量增大,导电能力越强,电导率也越高啊,对吗?最好可以给出量化公式, 说有半导体的重掺杂,这个重有什么标准么,比如说掺杂浓度到那个量级 为什么说半导体中载流子的浓度不变呢? 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于____,载流子空穴的浓度主要取决于______ .在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度