价带和导带

价带和导带之间是什么意思价带,半导体或绝缘体中,在0K时能被电子占满的最高能带.对半导体而言,此能带中的能级基本上是连续的.全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动.但若该电子受到光照,它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区,从而使价带

能级图的导带和价带分别是什么?导带是由自由电子形成的能量空间.即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围.对于金属,所有价电子所处的能带就是导带.对于半导体,所有价电子所处的能带是价带,比价带能量更高的能带是导带.在绝对零度温度下,半导体的

关于固体物理和半导体物理的几个小问题…电子有多个能带,哪些看作导带?哪些看作价带?导带与价带的定义与电子层有关吗?还有,为什么相差a分之2派的电子所处状态相同?…没学懂,表达和理解上都有误…希望懂的回答…你的问题类似于金属,半导体接触问题.

银,铂的导带价带各是多少啊?（金属导带价带重合）金属的价带与导带重叠没有禁带dh其中的电子都是载流子7参见“blog．163．com／xmx028＠126／”中的有关说明bfjn

11.用于实际器件中的半导体材料,需要价带和导带间的间隙较大而价带/导带和杂质能级间隙较小的,为什么?对于半导体器件,合乎需要的通常是处在耗尽区域的材料,因为它们对温度变化相对地不敏感.耗尽区域B可通过以下措施扩大到很宽的温度范围：a)选择

材料的氧化还原电势代表什么,跟价带和导带的电势一致吗?氧化还原电势是材料与电解质接触后的平衡电位,价带和导带的电势是材料没有接触电解质的电势李荻,电化学原理,

LED中什么是“直接带隙材料”“间接带隙材料”那导带和价带又是什么?导带的最高处和价带的最低处在相同k值的叫“直接带隙材料”,例如GaAs等不在一处的就是“间接带隙材料”例如Si

“导带”,“禁带”,“价带”分别指什么?导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带,是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围.导带中往往只有少量的电子,大多数状态（能级）是空着的,则在外加作用下

关于导带、价带的问题：P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴浓度远大于原来的电子空穴浓度,那么这时价带上面的电子浓度是不是比空

金属有没有导带价带禁带?金属有没有导带,价带一说?如果有,禁带宽度一般多少?为什么肖特基势垒是从金属这边的费米能级到半导体的导带底的能量差?如果没有,用什么来表征金属中电子的能量状态?金属的价带与导带重叠,没有禁带,其中的电子都是载流子.参

导体、绝缘体、半导体的能级结构有何不同也就是它们的导带、价带和禁带的差别在哪里?导体一般都有未被价电子填满的导带.还有满带与空带重叠或导带与空带重叠的情形.绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带.绝缘体的禁带宽度一般很宽,&

费米能级指被电子占据几率为1/2的能级,其处于价带和导带之间.可中间不是禁带吗,怎么会有电子占据啊?前提条件：在半导体物理中,处于本征或低掺杂情况.费米能级到底怎么理解啊,感觉逻辑不对呀!Fermi分布表示的是电子占据可能状态的几率.比Fe

B、Al、P、As中,那些属于N型杂质,那些属于P型杂质.简述能带理论的价带、导带、禁带的定义.B、Al外层是三个价电子比Si或Ge少一个,形成空穴导电,是P型半导体；P、As外层是5个价电子比Si或Ge多一个,形成电子导电,是N型半导体.

直接带隙半导体中,电子吸收光子从价带顶激发到导带底,众所周知,满足动量守恒和能量守恒.对于动量守恒,我的问题详细点说就是：电子激发前后的波数k保持不变,也就是说电子激发前后的动量没有改变,而入射光也有动量,那么多余的光子动量到哪里去了呢?你

PN结电子空穴扩散到对方区域,那么电子空穴对是否会复合?如果复合复合时电子从导带跃迁到价带时,释放出得能量为什么没有导致PN结发光?会复合的,但是在没有外界注入的条件下,这个量很小.至于发光就跟能带结构有关,这种情况下能量一般传给晶格了~或

为什么硅原子中原子能级就3个,其中各能级又包括很多简并能级,形成能带,最外层能带为价带,导带的那个能级在哪?是在原子3个能级外面的一个新的第四个能级,还是在原子最外层的一个能带里的最上方的能带?请看清楚问题做回答,硅的导带应该是由3p能带形

N型参杂如何改变能级结构（导带底和价带顶提高还是降低）,P型参杂呢?N型掺杂导带底降低,P型掺杂价带顶升高,详细的可以参考半导体物理学.

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窄禁带半导体为什么能用于红外探测?禁带窄,价带电子吸收光子更容易跃迁到导带,带间跃迁容易实现..红外波长长..这之间有什么关系?谢谢!波长与频率关系：c=λν光子能量：E=hν半导体价带电子跃迁条件：E>=Eg波长越长的电磁波其频率越小,光