pn结导通电压

什么是PN结的导通电压?采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结（PNjunction）一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺

PN结导通后的电压是多少?不是PN结的导通电压根据导通程度和型号的不同,NP结正向导通后的电压可以在0.6~1.2V之间变化（硅管）,如果你说的是三极管的集电结,那个变化范围就更大了,从饱和状态的0.3V左右到上百V都有.

二极管PN结为什么会有导通电压?要知道PN结的导通条件,首先要弄清楚PN结是怎样形成的.当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散.但是,电子和空穴都是带电的,

1.按照制造材料来分,二极管分为几类,它们的PN结导通电压分别是多少?（模拟电路）二极管的类型二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）.根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管

形成回路时PN结中通电原理P中的空穴与N中的电子中和,使PN结变薄,到一定程度后,少子（电子）漂流加强,电子由N到P运动,形成电流,加强了空穴运动产生的电流

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态.求

关于温度对PN结影响的疑问还是不明白为什么温度升高,正向导通电压会减小,反向饱和电流增加我就能理解了,是因为温度升高,热运动加剧,少数载流子的漂移运动加剧,但是管压降降低我就不明白了,难道说是,温度升高,热运动加剧,漂移运动加剧,空间电荷区

LED发光原理LED和普通PN结半导体器件的区别为什么同样是PN结通电后LED发光别的二级管不发光LED是怎样把电能转化成光能的?或者说所有二极管通电都会有电子越阶释放和吸收能量,为什么只有LED能发光!发光二极管的核心部分是由p型半导体和

三极管PN结PN是PN通还是NP通啊以NPN管为例,三极管共有两个PN结：b-e间的PN结和b-c间的PN结.在三极管正常工作时（在放大状态下）,b-e间的PN结是PN通（正向）,b-c间的PN结是NP通（反向）.

PN结正向偏置处于导通状态下载流子扩散的疑惑根据《模拟电子技术基础（第四版》,PN结不接外电压时,P区的空穴向N区扩散,与自由电子复合；同理N区的自由电子向P区扩散,与空穴复合,形成空间电荷区.于是阻止扩散运动的进行.但是,当PN结正向偏置

二极管的导通电压?硅的是0.7v,锗的是0.5v

9014三极管导通电压0.65V

二极管PN结原理PN结在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.基本特性 　在 P型半导体中有许

pn结深是什么意思首先你要知道PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um这个N型薄层的

什么叫PN结?PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,

什么是PN结?PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结（PNjunction）一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施

什么叫PN结PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表

PN结工程是什么?PN结是构成二极管的,而NPN或PNP是三极管,它是由两个PN结构成的.这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途.还是主要学习PN结的作用.

PN结怎么理解二级管或者三级管（晶体管）上的重要部分,通常是在一块N型（P型）半导体的局部再掺入浓度较大的三价（五价）杂质,使其变为P型（N型）半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为PN结.更详细一点的解释：把

什么是PN结+P-N-孔穴＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带-电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结,所以扩散运动越强,空间电荷区越宽,即PN结越宽