半导体中载流子有效质量

半导体物理中载流子的有效质量可以是负的,为什么?有什么物理意义?载流子都是虚构的,只是一个代数符号,如同虚数i方便用牛顿力学计算而已，这样就不用量子力学了。处于价带顶部的载流子也就是空穴质量是按照电子的定义计算用普朗克常数的平方除以能量函数

半导体物理中载流子的有效质量可以是负的,为什么?有什么物理意义我知道可以根据数学推导导出负的有效质量,想知道负有效质量的物理解释这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区

半导体中有效质量的性质是什么?类似于物体质量,主要用来表征电子或空穴运动的加速度相关

半导体中,什么是非平衡载流子?非平衡载流子就是由于热激发或掺杂引起的多于平衡时的载流子

半导体中载流子浓度由什么决定?半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；半导体中的载流子一般包括自由电

半导体中载流子的2种运动多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动.

半导体载流子的扩散?电子和空穴存在浓度梯度时就会扩散不知你要想知其中的那一部份？在上百科中我给你搜了二篇。如想知原理http://baike.baidu.com/view/2671345.htm如关心浓度系数http://baike.bai

1.N型半导体中,多数载流子是（）.N型半导体的多数载流子是电子.

为什么说半导体中载流子的浓度不变呢?载流子的浓度时会随着外界的条件而变化的,如温度,光照等,受到激发后,价带中的电子会激发到导带,从而增加了载流子的浓度半导体中载流子浓度是会改变的。半导体中载流子浓度和掺杂浓度、温度、半导体的种类等很多因素

霍尔系数与半导体中载流子类型有何关系P型半导体空穴导电霍尔系数R=1/pq>0N型半导体电子导电霍尔系数R=-1/nq

怎样根据霍尔效应判断半导体中载流子的种类根据霍尔板两端的电压高低

半导体中存在着两类载流子,其中带正电的载正电的载流子称为什么?空穴2:N型半导体中自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数3:P型半导体中多数载流子为空穴，空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数空穴带正电的称空穴，带负电的

半导体中载流子的平均自由程与半导体的晶格常数,其相对大小如何?半导体中载流子的平均自由程大约为数百埃（晶体中的杂质、缺陷越少,晶格越完整,自由程就越大）,比半导体的晶格常数大得多.晶格常数是晶体单胞（晶胞）的边长,与原子间距差不多,大约为几

掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系本征半导体掺杂后变成掺杂半导体后n0p0=ni2还成立吗?如果变成n型,p0会变少变成少数载流子,那成对出现的本征载流子ni为什么不等于p0?成立本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度,且n=p=ni

怎么求半导体晶体有效质量h-bar的平方除以以能量对动量的二阶微商~一般材料的有效质量都是可以查表得到的~

半导体物理中证明空穴电导有效质量证明：价带空穴的电导率有效质量mcp与重空穴有效质量mph*和轻空穴有效质量mpl*的关系为mcp=(mph*3/2+mpl*3/2)/(mph*1/2+mpl*1/2)百度百科都说了，只是没证明，不过算了，

半导体中通过电流的大小是由载流子的数目决定还是由载流子的速度决定?半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.

杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系?多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于____,载流子空穴的浓度主要取决于______载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）

n型半导体中多数载流子（电子）数量大于少数载流子（空穴）那是不是n型半导体总体带负电是不是啊!当然不是.你想想好了,这些多数载流子是怎么来的?无非是从共价键里跑出来的.但没有跑到这块半导体的外面去.对于一块物质而言,如果它里面没有发生特殊的